30W高效源计划概述率氮化镓电

A+C口兼容双
。效率接口 。氮化电路 ，镓电可满意多设备充电需求，源计还能够兼容传统。划概USB。效率-A设备 ，氮化接口互补
，镓电场景掩盖广，源计依然是划概当时充电商场不行疏忽的中坚力量。深圳银联宝 。效率科技 
。氮化推出的镓电PD快充A+C口：30W高功率。氮化镓 。源计电源。划概计划U8722DE+U7110W ，最大程度简化设计计划，易上手，低本钱！

氮化镓电源IC U8722DE选用峰值 。电流。操控形式，能够自适应的勤奋好学在QR和降频勤奋好学形式
，然后完成全负载功率范围内的功率优化 。在满载和重载工况下
，体系勤奋好学在QR勤奋好学形式，能够大幅下降体系的开关损耗。芯片依据FB电压值调理谷底个数
，一同为了防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变，产生噪音，U8722DE选用了谷底确定勤奋好学形式在负载必定的情况下，导通谷底数安稳，体系无噪音 。跟着负载的逐步下降，体系导通的谷底个数逐步添加 ，当谷底数超越6个时
，不再检测谷底电压 ，体系进入降频勤奋好学形式
，连累进一步下降开关频率，减小开关损耗 ，优化体系轻载功率。

在。同步整流。内置。MOSFET。导通期间，同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两头电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV)，连累关断推迟Td_off (典型值22ns) 
，内置MOSFET的沟道关断。在VDD电压上升到VDD敞开电压VDD_ON (典型值3.8V)之前 ，U7110W处于关机状况 。内部Gate。智能。钳位电路能够确保内置MOSFET不会产生高dv/dt导致的误注册
。当VDD电压到达VDD_ON之后，芯片发动，内部。操控电路 。开端勤奋好学，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道完成续流
。当VDD电压低于欠压维护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体 。二极管 。完成续流。

深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高功率氮化镓电源计划U8722DE+U7110W，原厂直销，一站式电源计划服务 
，下降归纳持有本钱，可调配协议芯片OM5256一同运用 ，量大可谈 ！