超卓的挑选功率密度和热功用 ,愈加紧凑和牢靠的选用规划 。
选用TO-LL封装的挑选。意法半导体。选用SiC 。挑选 MOSFET 。选用将第3代STPOWER SiC技能的挑选固有特性与TO-LL封装超卓的散热和。电流 。选用功用集于一身 。挑选这些规划元素一起完成了超卓的选用开关功用 、牢靠性和热办理功用,挑选而附加的选用Kelvin源引线则可协助规划人员进一步下降开关损耗。
为什么要挑选选用TO-LL封装的挑选SiC MOSFET?
紧凑型无引线封装 。
大型显露式漏极焊盘。选用
削减厚度:2.3mm 。挑选
额定的Kelvin源引脚。
在全温度范围内具有较低的RDS(on)。
高速开关功用。
安稳的快速本体 。二极管。
SCT040TO6。5G。3 碳化硅功率MOSFET 650V、40mOhm典型值 、35A ,选用TO-LL封装。
SCT055TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、58mOhm典型值 、30A ,选用TO-LL封装。
引荐资源。
Compuware挑选根据SiC的意法半导体。数字电源 。解决方案,以供给高效 、牢靠的服务器。电源 。
该参阅规划为服务器、数据 。中心。和电信电源等数字电源。转化器 。使用供给了无与伦比的电源挑选... 。
第3代STPOWER SiC MOSFET :面向工业使用的立异技能 。
该产品具有极低的RDS(on)以及愈加超卓的开关频率和能效体现 ,可以有用协助规划人员减缩体系尺度和分量 。意法半导体第3代SiC MOSFET针对很多工业使用进行了优化,包含用于。AI。服务器 、太阳能转化体系 、伺服。驱动器